Le dopage permet d'instaurer un déséquilibre de charges, ainsi qu'une barrière de potentiel [électrique]. La conductivité électrique d'un semi-conducteur se situe entre celle d'un bon conducteur (comme le cuivre) et celle d'un isolant . L'unité de longueur est le cm dans les 2 exercices. Les taux de dopage utilisés sont de l'ordre de 10-8 à 10-1123 atomes et la Le nombre de communications consacrées aux hétérostructures la Conférence Internationale sur la Physique des Semi-Conducteurs a cru exponentiellement de moins de 5 jusqu'en 1978, 200 vers 1988, représentant environ 50% des contributions . Exercice III Dans un semi-conducteur intrinsèque, la concentration en porteurs libres est donnée par la relation: n i = p i . cristal( dopage) favorise les porteurs d'un certain type: Électrons (dopage N), trous (dopage P).
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